第182章 救星來了！
第182章 救星來了！
臨安，蘇省大學微電子學院。
“通入六甲基二硅胺烷……”
“硅片脫水完成，增粘處理完成，開始旋轉塗膠。”
“……”
這已經是他們不知道進行了多少次的實驗流程了，除了操作員時不時進行流程彙報之外，實驗內悄然無聲。
數十名研發人員都靜靜地堅守著自己的崗位，偶爾抬頭看一眼設備運行情況，以及站在操控臺中間的那位老人。
“塗膠檢測完畢，未發現氣泡，開始曝光前烘……前烘完畢，光刻機準備曝光……”
在實驗有條不紊的推進中，終於到了曝光環節。
每次進入曝光環節，那短短的十秒鐘，都讓吳利鴻感覺像一個世紀那麼長……
而在曝光的過程中，加裝在工件臺的的測量儀器也在同時進行瘋狂的數據收集。
“曝光結束，進入後烘環節，曝光數據正在分析中……”
“曝光過程總產氣量……”彙報結果的研究員停頓了一下，然後用顫抖的語氣念出了數值，“289立方納米！”
譁——！
聽到這個結果，整個實驗室都頓時安靜了下來，隨後便是陣陣驚呼聲。
“竟然真是光致產酸劑Br-側鍵的問題！”
“吳院士牛逼啊！”
“……”
雖然後烘的具體數據還沒出來，但光是這個產氣量的數據，就已經稱得上是史無前例的重大突破了！
塗滿12寸的硅片光刻膠，在曝光的過程中，才產出了僅僅289立方納米的氣體，
而這麼小的產氣量，光刻膠的曝光邊緣肯定非常光滑平整。
這就意味著更高的清晰度，以及更低的製程。
可以說，他們已經徹底解決了光刻膠最棘手的產氣量問題！
吳利鴻聽到這個數據後，臉上也不禁浮現起了一抹如釋重負的笑容，但這卻讓他的臉上的皺紋褶子更多了……
過了大約十分鐘，曝光後的硅片也已經完成了後烘，並對曝光部分的光刻膠進行了溶解清除，然後又進行了一次堅膜烘焙，加固光刻膠形成的電路保護膜。
接下來，就是他們這個實驗環節最重要的電路圖像清晰度分析了。
而最終的分析結果也果然不出他們所料，在降低了98%的產氣量後，他們得到的電路保護膜，表面非常光滑平整，沒有出現任何坍塌變形！
“膜厚正常，套刻精度正常！”
聽到這個結果，所有人頓時都激動的看著吳利鴻。
事實上實驗進行到了這一步，已經基本可以肯定他們的euv光刻膠，已經達到了13.5納米的製程標準。